买卖IC网 >> 产品目录 >> AGR18090EF 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

AGR18090EF

库存数量：可订货
制造商：TriQuint Semiconductor
描述：射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频MOSFET电源晶体管
描述 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS Transistor
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制造商 TriQuint Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 N-Channel
频率 1.8 GHz to 1.88 GHz
增益 14 dB
输出功率 90 W
汲极/源极击穿电压 65 V
漏极连续电流 8.5 A
闸/源击穿电压 15 V
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 18090EF
封装
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深圳市毅创辉电子科技有限公司 077-8326952815602945519 王金英
深圳市轩盛达电子有限公司 15889328483 陈
深圳市瑞智芯科技有限公司 0755-82999903 朱先生
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